Nonvolatile dynamic random access memory

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 ２層の浮動ゲートを有しており、記憶コンデ ンサの内容を電力中断時に浮動ゲートへ転送できるよう にする１トランジスタ不揮発性ＤＲＡＭセルを提供す る。 【構成】 浮動ゲートの第１層はトンネル酸化物によっ て記憶コンデンサの記憶ノードから離隔され、電子が浮 動ゲートと記憶コンデンサの間のトンネルを通過できる ようにする。本発明の他の実施例においては、二重電子 インジェクタが１層の浮動ゲートと記憶ノードの間に配 置され、電子が浮動ゲートと記憶ゲートの間に注入でき るようにする。本発明の他の実施例においては、浮動ゲ ート上の電荷を除去するための消去ゲートが実現され る。消去ゲートをトンネル酸化物、または単電子インジ ェクタ構造によって分離し、電子が浮動ゲートから消去 ゲートへ移動できるようにすることができる。 (57) [Summary] [Object] To provide a one-transistor non-volatile DRAM cell which has two layers of floating gates and allows the contents of a storage capacitor to be transferred to the floating gate during power interruption. The first layer of the floating gate is separated from the storage node of the storage capacitor by a tunnel oxide, allowing electrons to pass through the tunnel between the floating gate and the storage capacitor. In another embodiment of the invention, a dual electron injector is placed between the floating gate and the storage node in a layer to allow electrons to be injected between the floating gate and the storage gate. In another embodiment of the invention, an erase gate is implemented to remove the charge on the floating gate. The erase gate can be separated by a tunnel oxide, or single electron injector structure, allowing electrons to move from the floating gate to the erase gate.

Inventors

• 👤 Alexandre Acovic
• 👤 アレクサンドル・アコビック
• 👤 Ching-Hsiang Hsu
• 👤 チン・シアン・スー
• 👤 Matthew R Wordeman
• 👤 マシュー・ロバート・ワードマン
• 👤 Being Song Wu
• 👤 ベイン・ソン・フー

Bibliographic Details