Lithography base material and pattern forming method using the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】 グリシジルメタクリレートとメチルメタクリ レートとの共重合体から成るか、又はこれに紫外線吸収 剤を含有させて成るリソグラフィー用下地材、及び （Ａ）基板上に前記下地材から成る第一層を形成する工 程、（Ｂ）この第一層の上にポジ型レジストから成る第 二層を設けたのち、露光、次いで現像処理してパターン 化する工程、（Ｃ）該パターン化したレジスト層をケイ 素含有蒸気によりシリル化する工程、及び（Ｄ）このシ リル化処理されたレジストパターンをマスクとして酸素 系ガスを用いたドライエッチング法により、該下地材か ら成る第１層をパターン化する工程を順次施し、パター ンを形成する方法である。 【効果】 断面が矩形で高解像度及び高選択比のレジス トパターンが簡素化されたプロセスにより容易に得られ る。 (57) [Summary] [Structure] A lithographic undercoat material comprising a copolymer of glycidyl methacrylate and methyl methacrylate or containing an ultraviolet absorber therein, and (A) a substrate comprising the above-mentioned undercoat material. Forming a first layer consisting of: (B) providing a second layer consisting of a positive resist on the first layer, exposing, and then developing, and patterning; (C) patterning Patterning the first layer made of the base material by a step of silylating the formed resist layer with a vapor containing silicon, and (D) a dry etching method using an oxygen-based gas with the silylated resist pattern as a mask. It is a method of forming a pattern by sequentially performing the steps. [Effect] A resist pattern having a rectangular cross section and a high resolution and a high selection ratio can be easily obtained by a simplified process.

Inventors

• 👤 Taku Nakao
• 👤 卓 中緒
• 👤 Hiroyuki Yamazaki
• 👤 浩幸 山崎
• 👤 Hidekatsu Obara
• 👤 秀克 小原
• 👤 Toshimasa Nakayama
• 👤 寿昌 中山
• 👤 Nobuo Tokutake
• 👤 信生 徳竹
• 👤 Chikato Saitou
• 👤 慎人 斎藤

Bibliographic Details