Method for forming vapor phase film

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、例えば高エネルギービー ムによる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜の形成に 際して、粗大粒子の発生または粗大粒子の堆積を主体と する膜形成によりピンホールなどの欠陥が形成されるの を抑制し、気相膜を緻密化することにある。 【構成】 本発明に係る気相膜の形成方法は、高エネル ギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜 の形成方法において、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着 する際に、ターゲットとして異なる構成成分の前記粗大 粒子が発生し易い物質及び完全に蒸気化する物質とを使 用することを特徴とする。 (57) [Summary] [Object] An object of the present invention is, for example, in forming a vapor phase film by a vacuum deposition method using evaporation with a high energy beam, film formation mainly including generation of coarse particles or deposition of coarse particles. This suppresses the formation of defects such as pinholes and densifies the vapor phase film. A method for forming a vapor phase film according to the present invention is a method for forming a vapor phase film by a vacuum vapor deposition method using evaporation with a high energy beam, the method comprising: It is characterized by using a substance in which the coarse particles are likely to be generated and a substance which is completely vaporized, of different constituents.

Inventors

• 👤 Kazuhiro Oka
• 👤 一宏 岡

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