Mask for photoexposure and its production

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 データ量を大幅に増加させることなく、設計 パターンに忠実な転写パターンを形成可能な半導体集積 回路製造のための光露光用マスクを提供する。 【構成】 半導体集積回路の設計パターン１１のうち基 本的な周期構造を持つ部分を抜き出し、単独では半導体 基板に転写されない微少な補助パターン１３を基本的な 周期構造の主パターン１２の角部に対応する場所に設け た補助パターンデータを作成し、この補助パターンデー タと設計パターンに対応する主パターンデータとを合成 して光露光用マスクを製造する。補助パターン１３を、 周期構造と異なっている箇所も含めて、主パターン１２ の角部に対応する場所に形成したため、補助パターン１ ３の付加によるデータ量の増加を最小限に抑えることが できながら、設計パターンに忠実な転写パターンを形成 することができる。 (57) [Summary] [Object] To provide an optical exposure mask for manufacturing a semiconductor integrated circuit capable of forming a transfer pattern faithful to a design pattern without significantly increasing the amount of data. [Structure] A portion having a basic periodic structure is extracted from a design pattern 11 of a semiconductor integrated circuit, and a minute auxiliary pattern 13 which is not transferred to a semiconductor substrate by itself corresponds to a corner portion of a main pattern 12 of the basic periodic structure. Auxiliary pattern data provided at a location to be created is created, and the auxiliary pattern data and the main pattern data corresponding to the design pattern are combined to manufacture a light exposure mask. Auxiliary pattern 13 Main pattern 12 including parts that differ from the periodic structure Auxiliary pattern 1 because it was formed at the location corresponding to the corner of While it is possible to minimize the increase in the amount of data due to the addition of 3, it is possible to form a transfer pattern that is faithful to the design pattern.

Inventors

• 👤 Hisashi Watanabe
• 👤 尚志 渡辺

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