Mask for deformed illuminating exposure device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 孤立パターンの解像度を向上できる変形照明 露光装置用マスクを提供する 【構成】 最小パターンピッチＰに最適化された変形照 明露光装置用マスクにおける線幅ｗの孤立した主パター ンＡの両側に距離s1,s2を保って線幅sw1,sw2の補助パタ ーンＡＳ1,ＡＳ2を配置する。線幅sw1,sw2を最小線幅Ｐ /２より狭く設定して補助パターンが単独で解像されな いようにする。Ｐ/２≦s1≦(Ｐ−sw1)及びＰ/２≦s2≦ (Ｐ−sw2)となるように距離s1,s2を設定して補助パター ンＡＳ1,ＡＳ2の透過光と主パターンＡの透過光との光 路差が大略半波長だけ異なるようにする。こうして、主 パターンＡから暗部に染み出した光を補助パターンＡＳ 1,ＡＳ2から暗部に染み出した光によって打ち消してコ ントラストを強調して解像度を向上する。 (57) [Summary] [Object] To provide a mask for a modified illumination exposure apparatus capable of improving the resolution of an isolated pattern. [Configuration] An isolated line width w in a mask for a modified illumination exposure apparatus optimized to a minimum pattern pitch P. Auxiliary patterns AS1 and AS2 having line widths sw1 and sw2 are arranged on both sides of the main pattern A while keeping the distances s1 and s2. Line width sw1, sw2 is the minimum line width P Set it smaller than / 2 to prevent the auxiliary pattern from being resolved independently. P / 2 ≤ s1 ≤ (P-sw1) and P / 2 ≤ s2 ≤ The distances s1 and s2 are set so as to be (P-sw2) so that the optical path difference between the transmitted light of the auxiliary patterns AS1 and AS2 and the transmitted light of the main pattern A differs by about a half wavelength. In this way, the light bleeding from the main pattern A to the dark part is supplied to the auxiliary pattern AS. 1, the light exuded from AS2 to the dark part is canceled to enhance the contrast and improve the resolution.

Inventors

• 👤 Katsuji Iguchi
• 👤 勝次 井口
• 👤 Akio Kawamura
• 👤 昭男 川村
• 👤 Hiroki Tabuchi
• 👤 宏樹 田渕

Bibliographic Details