ESD protection of output buffer

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【目的】 出力バッファのＥＳＤ保護技術を実現する。 【構成】 ｐ−チャネル出力トランジスタが存在した場 合のように、正のＥＳＤ電圧を固定する働きをするｐ− ｎ接合がないため、ｎ−チャネル出力トランジスタ２０ １，２０２のみが存在するとき、特に静電放電（ＥＳ Ｄ）保護の問題に当面する。本技術において、出力トラ ンジスタそれ自身は、ＥＳＤ電流をパワー供給導電体 （Ｖ SS ）に流すために用いられる。ｎ−チャネル出力ト ランジスタのターン・オンを補助するために、トランジ スタ２０８はボンディング・パッド２００を、ｐ−チャ ネル・プレ−ドライバ・トランジスタ２１０が中に形成 されるｎ−タブ２１３に結合させる。このトランジスタ を通しての伝導により、ＥＳＤが起こった時、ｎ−タブ 電圧が上昇し、それによって本技術によって得られる保 護する可能性のあるｐ−チャネル・プレ−ドライバ・ト ランジスタのｐ−ｎ接合のターン・オン電圧制限が防止 される。 (57) [Summary] (Modified) [Purpose] To realize ESD protection technology for output buffers. Configuration: A p- that serves to lock the positive ESD voltage, as if a p-channel output transistor were present. Since there is no n-junction, the n-channel output transistor 20 When only 1,202 are present, especially electrostatic discharge (ES D) Face protection issues. In the present technology, the output transistor itself is used to carry the ESD current through the power supply conductor (V SS ). To assist in turning on the n-channel output transistor, transistor 208 couples bond pad 200 to n-tab 213 in which p-channel pre-driver transistor 210 is formed. Conduction through this transistor raises the n-tab voltage when ESD occurs, thereby turning the pn junction of the potentially protective p-channel pre-driver transistor obtained by the present technique.・ Prevents ON voltage limitation.

Inventors

• 👤 Juergen Pianka
• 👤 ピアンカ ジョルゲン

Bibliographic Details