External cavity type semiconductor laser light source

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 外部共振器を長くせずに、狭スペクトル線幅 で広範囲な位相連続波長可変をする事ができる外部共振 器型半導体レーザ光源の提供を目的とする。 【構成】 半導体レーザ１に無反射膜１Ａを施し、外部 共振器を、共振器長が短くても急峻な周波数特性となる 高反射率の外部反射鏡４と回折格子２とで形成し、外部 共振器の内部に反射率の低いビームスプリッタ３を挿入 することにより、共振特性を反射特性に変換する構造を 外部反射鏡として用いる。 (57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide an external resonator type semiconductor laser light source capable of tunable phase-continuous wavelength over a wide range with a narrow spectral line width without lengthening the external resonator. [Structure] A semiconductor laser 1 is provided with a non-reflective film 1A, and an external resonator is formed by an external reflection mirror 4 and a diffraction grating 2 each having a high reflectivity and having a steep frequency characteristic even if the resonator length is short. A structure for converting a resonance characteristic into a reflection characteristic by inserting a beam splitter 3 having a low reflectance inside the resonator is used as an external reflecting mirror.

Inventors

• 👤 Minoru Maeda
• 👤 稔 前田

Bibliographic Details