Semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】 メモリ、アドレスカウンタ、発振器等からな る半導体集積回路チップ１の必要部分に絶縁層６を介し て静電シールド材となる導電材５を被着形成することに より、半導体集積回路内部でシールドを行うことにな る。 【効果】 上記半導体集積回路チップを内部に有する半 導体装置を、例えばＩＣカードに適用することによっ て、静電気の動的変化を含む強電界、放電などによる誘 導電流及びＩＣ素子のパッケージを透過する光等が引き 起こす障害を除去できる。 (57) [Summary] [Construction] By forming a conductive material 5 serving as an electrostatic shield material on a necessary portion of a semiconductor integrated circuit chip 1 including a memory, an address counter, an oscillator, etc., with an insulating layer 6 interposed therebetween, Shielding is performed inside the semiconductor integrated circuit. By applying the semiconductor device having the semiconductor integrated circuit chip therein to, for example, an IC card, a strong electric field including a dynamic change of static electricity, an induced current due to discharge, light passing through a package of IC elements, and the like. The obstacles caused by can be eliminated.

Inventors

• 👤 Hirotaka Takada
• 👤 博敞 高田
• 👤 Yasushi Nakamoto
• 👤 泰 中本

Bibliographic Details