Thermal treatment method of semiconductor crystal

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 本発明は、半導体結晶の熱処理方法に関し、 シリコン結晶中での酸素析出量を高精度で制御すること ができ、ゲッタリング能力のばらつきを抑える事ができ る半導体結晶の熱処理方法を提供することを目的とす る。 【構成】 不純物炭素濃度が１ ppm以上であるシリコン 結晶中の欠陥状態を液体窒素温度以下の低温測定で1000 〜1120cm -1 帯に現れる赤外吸収ピーク強度を比較するこ とによって結晶を選別し、選別された該結晶の内、同一 分類に属する結晶のみ、またはお互いに近い分類に属す る結晶のみを熱処理することを特徴とするように構成す る。 (57) [Summary] [Object] The present invention relates to a heat treatment method for a semiconductor crystal, An object of the present invention is to provide a method for heat treatment of a semiconductor crystal, which can control the amount of oxygen precipitation in the silicon crystal with high accuracy and can suppress the variation in gettering ability. [Structure] The defect state in silicon crystals with an impurity carbon concentration of 1 ppm or more was measured by low-temperature measurement under liquid nitrogen temperature to 1000 Selecting crystals by comparing the infrared absorption peak intensities appearing in the ~ 1120 cm -1 band, and heat-treating only the crystals belonging to the same class or those close to each other among the selected crystals Is configured.

Inventors

• 👤 Yoshimi Shirakawa
• 👤 良美 白川
• 👤 Hiroshi Kaneda
• 👤 寛 金田

Bibliographic Details