Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】本発明は、半導体基板上にクラッド層とクラッ ド層に挟まれた活性層が形成された半導体レーザ装置の 製造方法に関し、波長可変量が広く、利得特性の波長依 存性がほとんど無い半導体レーザ装置の製造方法を提供 することを目的とする。 【構成】半導体基板２上に活性層形成予定領域３の両側 にレーザ発振方向に沿って連続的に幅が広くなるような マスク層４を形成する。気相エピタキシャル法により上 方から化合物半導体を堆積させると、マスク層４上に堆 積しようとした化合物半導体の原料種がマスク層４の横 方向に拡散してマスク層４に挟まれた活性層形成予定領 域３に堆積する。マスク層４の幅が広いほど活性層形成 予定領域３に堆積する化合物半導体が多くなるため、レ ーザ発振方向に沿って化合物半導体層の成長速度を大き くして化合物半導体層の膜厚が厚くすることできる。 (57) [Summary] [Object] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor laser device in which a clad layer and an active layer sandwiched by the clad layers are formed on a semiconductor substrate, and a wavelength tunable amount is wide and a wavelength of a gain characteristic is large. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor laser device having almost no dependency. [Structure] A mask layer 4 is formed on a semiconductor substrate 2 on both sides of a region 3 where an active layer is to be formed so that the mask layer 4 is continuously widened along the laser oscillation direction. When the compound semiconductor is deposited from above by the vapor phase epitaxial method, the raw material species of the compound semiconductor to be deposited on the mask layer 4 are diffused in the lateral direction of the mask layer 4 to form the active layer sandwiched between the mask layers 4. Deposit in region 3. The wider the mask layer 4 is, the more compound semiconductor is deposited in the active layer formation planned region 3. Therefore, the growth rate of the compound semiconductor layer is increased along the laser oscillation direction to increase the film thickness of the compound semiconductor layer. it can.

Inventors

• 👤 Hajime Shoji
• 👤 元 小路

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