Display device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 駆動用ドライバー回路のチャネル層でのキ ャリアの移動度が高く、かつ表示部のＴＦＴ特性のバラ ツキの少ない表示装置を提供する。 【構成】 表示部の薄膜トランジスタのチャネル層２ ｃの結晶粒径が、駆動用ドライバー回路用の薄膜トラン ジスタのチャネル層２ａ、２ｂの結晶粒径より小さいこ とを特徴とする。チャネル層２ａ、２ｂは、非晶質シリ コンを低温で長時間熱処理することにより多結晶シリコ ン層とするため、多結晶シリコンを堆積させたチャネル 層２ｃより結晶粒径が大きくなる。 【効果】 駆動用ドライバー回路用の薄膜トランジスタ のチャネル層の結晶粒径が大きいため、キャリアの移動 度が高くなり、高速表示することができる。また表示部 のトランジスタのチャネル層の結晶粒径がチャネル層の 大きさに比べて小さいためトランジスタ特性にバラツキ がなく、良好な画質を得ることができる。 (57) [Summary] [Object] To provide a display device in which carrier mobility in a channel layer of a driver circuit is high and variation in TFT characteristics of a display portion is small. [Structure] Channel layer 2 of thin film transistor of display section The crystal grain size of c is smaller than that of the channel layers 2a and 2b of the thin film transistor for the driving driver circuit. Since the channel layers 2a and 2b are made into a polycrystalline silicon layer by heat-treating amorphous silicon at a low temperature for a long time, the crystal grain size becomes larger than that of the channel layer 2c in which polycrystalline silicon is deposited. [Effect] Since the crystal grain size of the channel layer of the thin film transistor for the driver circuit for driving is large, the mobility of carriers is increased, and high-speed display can be performed. In addition, since the crystal grain size of the channel layer of the transistor in the display portion is smaller than the size of the channel layer, there is no variation in transistor characteristics and good image quality can be obtained.

Inventors

• 👤 Toru Ueda
• 👤 徹 上田

Bibliographic Details