Manufacture of semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】イオン注入に起因した結晶欠陥を効果的に防止 でき、半導体装置の微細化に十分対応でき、スループッ トの低下を生じさせることがなく、工程全体の温度を極 力低く抑えることができる、半導体装置の製造方法を提 供する。 【構成】半導体装置の製造方法は、（イ）シリコン基板 に不純物をイオン注入する第１のイオン注入工程と、 （ロ）６００乃至８００゜Ｃの温度でアニールする第１ のアニール工程と、（ハ）第１のイオン注入工程でイオ ン注入されたシリコン基板の領域に、不純物をイオン注 入する第２のイオン注入工程と、（ニ）高温、短時間ア ニールを行う第２のアニール工程、から成る。 (57) [Abstract] [Purpose] Crystal defects caused by ion implantation can be effectively prevented, semiconductor devices can be miniaturized sufficiently, throughput does not decrease, and the temperature of the entire process is kept as low as possible. Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, which can be suppressed. A semiconductor device manufacturing method comprises: (a) a first ion implantation step of ion-implanting impurities into a silicon substrate; (B) First annealing at a temperature of 600 to 800 ° C Annealing step, (c) a second ion implantation step of ion-implanting impurities into the region of the silicon substrate that has been ion-implanted in the first ion implantation step, and (d) a second high-temperature, short-time annealing step. Anneal step of.

Inventors

• 👤 Hiroshi Takahashi
• 👤 洋 高橋

Bibliographic Details