Manufacture of nonvolatile semiconductor storage device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 周辺ＭＯＳトランジスタを損傷させず，上部 電極層であるコントロールゲートの損傷がないＥＰＲＯ Ｍを製造する方法を提供する。 【構成】 メモリセルＭＯＳトランジスタ領域２０のコ ントロールゲート部２１をエッチングして形成する際， 周辺ＭＯＳトランジスタ領域１０をチタン膜２５で被覆 して保護膜とする。さらにこのチタン膜２５シリサイド 化したチタンシリサイド膜６７Ａ，６５，６７Ｂを保護 膜としてフローティングゲート部２７をエッチングす る。チタン膜２５およびチタンシリサイド膜６７Ａ，６ ７Ｂ，６５は選択比が大きく，周辺ＭＯＳトランジスタ 領域１０を損傷させない。チタン膜２５に代えてタング ステン膜１２５を用いることができる。 (57) [Abstract] [Purpose] EPRO that does not damage the peripheral MOS transistor and does not damage the control gate that is the upper electrode layer. A method of manufacturing M is provided. [Configuration] When the control gate portion 21 of the memory cell MOS transistor region 20 is formed by etching, The peripheral MOS transistor region 10 is covered with a titanium film 25 to form a protective film. Further, the floating gate portion 27 is etched by using the titanium silicide films 67A, 65, 67B which are silicided as the titanium film 25 as protective films. Titanium film 25 and titanium silicide films 67A, 6 7B and 65 have a large selection ratio and do not damage the peripheral MOS transistor region 10. A tungsten film 125 can be used instead of the titanium film 25.

Inventors

• 👤 Hirobumi Sumi
• 👤 博文 角

Bibliographic Details