Method for forming titanium silicide layer

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】単結晶シリコンや拡散層領域又はゲート領域上 に低抵抗のチタンシリサイド層を形成し、チタンシリサ イド層とこれらの領域との間のコンタクト抵抗を低減さ せ得るチタンシリサイド層の形成方法を提供する。 【構成】半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、 該シリコン酸化膜上にチタン層を堆積させ、次いで低温 度の熱処理を行ってチタン層のチタンをシリサイド化 し、更に、９００゜Ｃ以上１１００゜Ｃ以下の高温度の 熱処理を行う。 (57) [Abstract] [Purpose] Titanium silicide capable of forming a low-resistance titanium silicide layer on single-crystal silicon, a diffusion layer region, or a gate region and reducing the contact resistance between the titanium silicide layer and these regions. A method of forming a layer is provided. [Structure] After forming a silicon oxide film on a semiconductor substrate, A titanium layer is deposited on the silicon oxide film, then heat treatment at a low temperature is performed to silicify titanium in the titanium layer, and further heat treatment at a high temperature of 900 ° C. or more and 1100 ° C. or less is performed.

Inventors

• 👤 Hirobumi Sumi
• 👤 博文 角

Bibliographic Details