Treatment apparatus and sputtering apparatus

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 クランプリングを使用せずにウェハをヒータ ブロック上に密着固定させるとともに、ウェハ全面にわ たって均一な温度を維持できる静電チャック付きヒータ を用いた処理装置を提供する。 【構成】 ヒータ５を埋め込んだヒータブロック３と、 ヒータブロック３内に埋設された静電吸着電極４と、静 電吸着電極に電圧を印加する静電吸着用電源１４と、ヒ ータブロック３の上面に設けられガス供給管９に連結さ れたガス供給用溝１０とからなる静電チャック付きヒー タを真空容器２内に配設してウェハ１の処理装置を構成 する。 (57) [Abstract] [PROBLEMS] To provide a processing apparatus using a heater with an electrostatic chuck, which is capable of closely fixing a wafer on a heater block without using a clamp ring and maintaining a uniform temperature over the entire surface of the wafer. [Structure] A heater block 3 in which a heater 5 is embedded, An electrostatic attraction electrode 4 embedded in the heater block 3, an electrostatic attraction power source 14 for applying a voltage to the electrostatic attraction electrode, and a gas supply connected to a gas supply pipe 9 provided on the upper surface of the heater block 3. A heater with an electrostatic chuck composed of the groove 10 is disposed in the vacuum container 2 to form a processing apparatus for the wafer 1.

Inventors

• 👤 Masao Kubodera
• 👤 正男 久保寺
• 👤 Masaki Narishima
• 👤 正樹 成島
• 👤 Hatsuo Osada
• 👤 初雄 長田
• 👤 Hiromi Kumagai
• 👤 浩洋 熊谷

Bibliographic Details