Solid state image sensor, manufacturing method therefor, and electronic apparatus

Abstract

Abstract Translated from Japanese 【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。 【解決手段】半導体基板１０１の画素分離部３０１に形成されたトレンチＴＲの内部に第１遮光部３１３Ａを設ける。これと共に、その第１遮光部３１３Ａの上面側に第２遮光部３１３Ｂを設ける。ここでは、画素領域ＰＡの中心よりも周辺において、第２遮光部３１３Ｂの中心が、画素分離部３０１の中心に対して、画素領域ＰＡの周辺の側へ多くシフトするように、第２遮光部３１３Ｂを形成する。つまり、少なくとも第２遮光部について「瞳補正」を実施する。 【選択図】図５ An image quality of a captured image is improved. A first light shielding portion 313A is provided inside a trench TR formed in a pixel separation portion 301 of a semiconductor substrate 101. At the same time, a second light shielding part 313B is provided on the upper surface side of the first light shielding part 313A. Here, in the periphery of the pixel area PA, the second light-shielding part 313B is shifted so that the center of the second light-shielding part 313B is more shifted toward the periphery of the pixel area PA than the center of the pixel separation part 301. 313B is formed. That is, “pupil correction” is performed on at least the second light-shielding portion. [Selection] Figure 5

Inventors

• 👤 Kazufumi Watanabe
• 👤 一史 渡辺

Bibliographic Details