Semiconductor storage device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 高信頼で大記憶容量化を実現し、使い勝手の よい半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 ３値以上の情報電圧をそのゲートに保持 するＭＯＳＦＥＴと、上記３値以上の情報電圧を上記Ｍ ＯＳＦＥＴのゲートに与える書き込み用トランジスタ と、上記ＭＯＳＦＥＴと直列形態に接続された読み出し 用トランジスタとを含むメモリセルを用い、上記ＭＯＳ ＦＥＴのソースに対して、ソース線により上記３値以上 の情報電圧に対応した複数の参照電圧を与えて、かかる 複数通りの参照電圧に対応した上記ＭＯＳＦＥＴのオン 状態／オフ状態の組み合わせによりデジタルデータを形 成し、あるいは上記ＭＯＳＦＥＴのソース電圧をそのま ま読み出し電圧として出力させる。 (57) [Problem] To provide a semiconductor memory device which realizes high reliability and large storage capacity and is easy to use. SOLUTION: A MOSFET for holding a ternary or more information voltage at its gate, and a MOSFET for holding the ternary or more information voltage to the M A memory cell including a write transistor applied to the gate of an OSFET and a read transistor connected in series with the MOSFET is used. A plurality of reference voltages corresponding to the three or more information voltages are applied to the source of the FET by a source line, and digital data is obtained by a combination of the ON state / OFF state of the MOSFET corresponding to the plurality of reference voltages. Or the source voltage of the MOSFET is directly output as a read voltage.

Inventors

• 👤 Masaya Muranaka
• 👤 雅也 村中
• 👤 Yutaka Ito
• 👤 伊藤　　豊

Bibliographic Details