Mask pattern correction method, mask pattern correction apparatus, recording medium storing mask pattern correction program, and method of manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ上にプロセス裕度及び補正精度 が高いパターンを形成するマスクパターン補正方法を提 供する。 【解決手段】 所定のデザインルールに従って設計され た、半導体装置の光露光工程において使用するマスクの 設計パターンから、露光量と焦点距離の変動に対するプ ロセス裕度が所定の基準値に達していないパターンを抽 出する第１ステップと、プロセス裕度が基準値を満たす ようにパターンを補正する第２ステップとを少なくとも 具備する。デザインルール上では製造可能であるが、光 露光工程での露光量、焦点距離の変動によるパターン寸 法の変動量が大きくなるパターンに対して、そのプロセ ス裕度を高めることができる。 (57) [Problem] To provide a mask pattern correction method for forming a pattern with high process latitude and correction accuracy on a semiconductor wafer. SOLUTION: From a design pattern of a mask used in a light exposure process of a semiconductor device, which is designed according to a predetermined design rule, a pattern in which a process margin with respect to a variation in an exposure amount and a focal length does not reach a predetermined reference value. The method includes at least a first step of extracting and a second step of correcting a pattern so that a process margin satisfies a reference value. Although it can be manufactured according to the design rules, it is possible to increase the process margin for a pattern in which the amount of change in the pattern dimension due to the change in the exposure amount and the focal length in the light exposure step becomes large.

Inventors

• 👤 Kazuhiro Takahata
• 👤 和宏 高畑
• 👤 Koji Hashimoto
• 👤 耕治 橋本

Bibliographic Details