Method for forming contact of semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体素子のコンタクト形成に際し、ストレ スによる素子の特性劣化やウェーハの歪曲及び熱処理工 程での窒化膜のクラック発生を防止する。 【解決手段】 所定の下部構造物を有する半導体基板５ １上に過シリコン酸化窒化膜５７で成る食刻障壁層を形 成し、その上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜５９ でコンタクトホールに予定されている部分６３を露出す るための感光膜パターンを形成し、C−H−F系ガスによ る食刻選択比を利用して前記感光膜パターンの除去と、 選択的に除去された層間絶縁膜５９をマスクに、過シリ コン酸化窒化膜５７の露出部を除去して自己整列コンタ クトを形成する。 PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of device characteristics due to stress, distortion of a wafer, and generation of cracks in a nitride film in a heat treatment step when forming a contact of a semiconductor device. SOLUTION: A semiconductor substrate 5 having a predetermined lower structure 1, an etching barrier layer made of a persilicon oxynitride film 57 is formed, and an interlayer insulating film is formed thereon. Interlayer insulating film 59 Forming a photosensitive film pattern for exposing a portion 63 scheduled in the contact hole, removing the photosensitive film pattern using an etching selectivity with a C-H-F based gas, Using the selectively removed interlayer insulating film 59 as a mask, the exposed portion of the silicon oxynitride film 57 is removed to form a self-aligned contact.

Inventors

• 👤 Seiko Kin
• 👤 正浩 金
• 👤 Zaigyoku Ryu
• 👤 在玉 柳
• 👤 Jishun Gu
• 👤 滋春 具
• 👤 Jin-Woong Kim
• 👤 眞雄 金
• 👤 Si Bum Kim
• 👤 是範 金
• 👤 Shuchin Go
• 👤 秀珍 呉

Bibliographic Details