Method of forming wiring structure

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 通常のレジストプロセスを採用して、比誘電 率が低い層間絶縁膜を形成できるようにする。 【解決手段】 半導体基板３００上に、第１の有機含有 シリコン酸化膜３０３、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第 ２の有機含有シリコン酸化膜３０５を順次堆積した後、 第２の有機含有シリコン酸化膜３０５の上にマスクパタ ーン３０８を形成する。第２の有機含有シリコン酸化膜 ３０５、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第１の有機含有シ リコン酸化膜３０３に対して第２のレジストパターン３ ０９をマスクとしてエッチングを行なって、第１の有機 含有シリコン酸化膜３０３にコンタクトホール３１０を 形成する。第２のレジストパターン３０９を除去した 後、第２の有機含有シリコン酸化膜３０５及び低誘電率 ＳＯＧ膜３０４に対してマスクパターン３０８をマスク としてエッチングを行なって、低誘電率ＳＯＧ膜３０４ に配線溝３１１を形成する。 (57) [Problem] To provide an interlayer insulating film having a low relative dielectric constant by employing a normal resist process. SOLUTION: After a first organic-containing silicon oxide film 303, a low dielectric constant SOG film 304, and a second organic-containing silicon oxide film 305 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 300, A mask pattern 308 is formed on the second organic-containing silicon oxide film 305. The second resist pattern 3 is applied to the second organic-containing silicon oxide film 305, the low dielectric constant SOG film 304, and the first organic-containing silicon oxide film 303. 09 is used as a mask to form a contact hole 310 in the first organic-containing silicon oxide film 303. After removing the second resist pattern 309, the second organic-containing silicon oxide film 305 and the low dielectric constant SOG film 304 are etched using the mask pattern 308 as a mask, and the low dielectric constant SOG film 304 is etched. Then, a wiring groove 311 is formed.

Inventors

• 👤 Nobuo Aoi
• 👤 信雄 青井

Bibliographic Details