Low frequency noise removal method and CMOS sensor circuit

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 内部ノイズが大きな素子を利用した回路構成 とする場合でも低周波ノイズの除去を効果的に行い得る ようにすること、ＣＭＯＳセンサ回路において内部ノイ ズに起因した低周波ノイズによる悪影響を除去して検出 精度の向上を実現すること。 【解決手段】 検出対象信号ｓｉｇより大きな値の意図 的オフセット値を予め設定し、その意図的オフセット値 の大きさを測定手段により測定した意図的オフセット測 定値ａと、検出対象信号ｓｉｇに意図的オフセット値を 加算した状態の信号の大きさを測定手段により測定した 信号測定値ｂとの比（ｂ／ａ）を取り、その比をノイズ 低減データとして利用することによってセンサ出力のノ イズを低減させる。 [PROBLEMS] To effectively remove low-frequency noise even in a circuit configuration using an element having large internal noise, and to provide a low-frequency noise caused by internal noise in a CMOS sensor circuit. To improve detection accuracy by removing the adverse effects of noise. SOLUTION: An intentional offset value a, which is larger than a detection target signal sig, is set in advance, and the magnitude of the intentional offset value is measured by a measuring means, and an intentional offset measurement value a measured by a measuring means and an intentional offset value a The noise of the sensor output is reduced by taking the ratio (b / a) to the signal measured value b obtained by measuring the magnitude of the signal in the state where the offset value is added by the measuring means, and using the ratio as noise reduction data. .

Inventors

• 👤 Takamoto Watanabe
• 👤 高元 渡辺
• 👤 Toshio Ikuta
• 👤 敏雄 生田
• 👤 Noboru Endo
• 👤 昇 遠藤

Bibliographic Details