Semiconductor laminated thin films, electronic devices and diodes

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 酸化物の薄膜技術とｎ型半導体を用いて、酸 化物の性質を利用した透明の半導体接合を実現し、これ を利用したダイオード、薄膜トランジスタなどの電子デ バイスを得る。 【解決手段】 基板上に、少なくとも、Ｃｕを含む複合 酸化物を含有する無機物層と、ｎ型導電性を示すｎ型半 導体酸化物層が積層されている半導体積層薄膜とした。 PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a transparent semiconductor junction utilizing the properties of an oxide by using an oxide thin film technology and an n-type semiconductor, and to obtain an electronic device such as a diode and a thin film transistor using the same. . SOLUTION: The semiconductor laminated thin film has a structure in which at least an inorganic layer containing a composite oxide containing Cu and an n-type semiconductor oxide layer exhibiting n-type conductivity are laminated on a substrate.

Inventors

• 👤 Yoshihiko Yano
• 👤 義彦 矢野
• 👤 Hiroshi Kawazoe
• 👤 博司 川副

Bibliographic Details