Semiconductor integrated circuit device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 システムＬＳＩをデータ保持／非保持制御 可能にするとともに大容量化可能なメモリの搭載を化と し、かつ消費電力も十分に低下できる構成としたい。 【解決手段】 システムＬＳＩに対してＤＲＡＭモジュ ールを適用するとともに、システムＬＳＩに対してその 全体の動作を抑制するスタンバイモードと、少なくとも ＤＲＡＭモジュールを動作状態として残し他の回路の動 作を抑制する動作スタンバイモードとを設定する。低電 圧動作対応のＣＭＯＳ型システムＬＳＩに対しては、上 記モードとともに、基板バイアス制御技術も併用する。 (57) [Summary] [PROBLEMS] To make a system LSI capable of controlling data holding / non-holding, to mount a memory capable of increasing the capacity, and to reduce the power consumption sufficiently. A standby mode in which a DRAM module is applied to a system LSI and the entire operation of the system LSI is suppressed, and an operation standby mode in which at least the DRAM module is left in an operating state and the operation of other circuits is suppressed. Set the mode. For a CMOS system LSI compatible with low voltage operation, a substrate bias control technique is used together with the above mode.

Inventors

• 👤 Toshio Sasaki
• 👤 敏夫 佐々木
• 👤 Yoshihiko Yasu
• 👤 義彦 安
• 👤 Kazumasa Yanagisawa
• 👤 一正 柳沢
• 👤 Yuji Tanaka
• 👤 裕二 田中
• 👤 俊明 ▲高▼平
• 👤 Toshiaki Takahira
• 👤 Yasuto Igarashi
• 👤 康人 五十嵐
• 👤 Mariko Otsuka
• 👤 真理子 大塚
• 👤 Yasunobu Aoki
• 👤 康伸 青木

Bibliographic Details