Method of manufacturing a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) photosensitive device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【課題】 相補形金属―酸化物―半導体（ＣＭＯＳ）感 光性デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料か ら形成される第１パシベーション層はそれが溶融するよ うに加熱される。その後、赤フィルタ領域、緑フィルタ 領域、および青フィルタ領域を含むカラーフィルタが第 １パシベーション層上に形成される。カラーフィルタは アクリル樹脂を含む材料から形成される。その後、上面 が平面である第２パシベーション層がカラーフィルタ上 に窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成され る。次に、フォトリソグラフィ−作業およびエッチング 作業を実施して、第２パシベーション層および第１パシ ベーション層を介して開口部を形成する。最終的に各カ ラーフィルタ上に位置するように第２パシベーション層 上にミクロレンズ層が形成される。 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) photosensitive device. SOLUTION: A first passivation layer formed from a material containing silicon nitride or silicon oxide is heated so that it is melted. Thereafter, a color filter including a red filter region, a green filter region, and a blue filter region is formed on the first passivation layer. The color filter is formed from a material containing an acrylic resin. Thereafter, a second passivation layer having a flat upper surface is formed on the color filter from a material containing silicon nitride or silicon oxide. Next, a photolithography operation and an etching operation are performed to form an opening through the second passivation layer and the first passivation layer. Finally, a microlens layer is formed on the second passivation layer so as to be located on each color filter.

Inventors

• 👤 Ikyo Rin
• 👤 維姜 林
• 👤 Genkichi Haku
• 👤 源吉 白

Bibliographic Details