PROCESS FOR FORMING A MONOCRYSTALLINE THIN LAYER OF SEMICONDUCTOR COMPOUND

Abstract

Abstract Translated from French PROCEDE POUR FORMER UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE DE COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR. DES GAZ EXTERIEURS CONTENANT DES MOLECULES DES ELEMENTS COMPOSANTS D'UN COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR A FORMER SUR UN SUBSTRAT 12 PLACE DANS UNE CHAMBRE 1 DE CROISSANCE DES CRISTAUX, SONT INTRODUITS ALTERNATIVEMENT OU CYCLIQUEMENT PAR L'INTERMEDIAIRE DE TUYERES 4 ET 5. PENDANT LA REPETITION DU CYCLE, LA PRESSION DANS LA CHAMBRE, LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT ET LA VITESSE D'INTRODUCTION DES GAZ SONT REGLES, DE MANIERE A PERMETTRE LA CROISSANCE SUR LE SUBSTRAT D'UN MONOCRISTAL AYANT LA PRECISION D'UNE COUCHE UNIQUE. APPLICATIONS : NOTAMMENT A LA FABRICATION DE TRANSISTORS, DE CIRCUITS INTEGRES, DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES, ETC. METHOD FOR FORMING A THIN MONOCRISTALLINE LAYER OF SEMICONDUCTOR COMPOUND. EXTERNAL GASES CONTAINING MOLECULES OF THE COMPONENT ELEMENTS OF A SEMICONDUCTOR COMPOUND TO BE FORMED ON A SUBSTRATE 12 PLACED IN A CRYSTAL GROWTH CHAMBER 1, ARE INTRODUCED ALTERNATIVELY OR CYCLICALLY THROUGH TUBES 4 AND 5. DURING THE OF THE CYCLE, THE PRESSURE IN THE CHAMBER, THE SUBSTRATE TEMPERATURE AND THE GAS INTRODUCTION SPEED ARE ADJUSTED, SO AS TO ALLOW THE GROWTH ON THE SUBSTRATE OF A SINGLE-LAYER WITH THE PRECISION OF A SINGLE LAYER. APPLICATIONS: ESPECIALLY IN THE MANUFACTURING OF TRANSISTORS, INTEGRATED CIRCUITS, LIGHT-DRIED DIODES, ETC.

Inventors

• 👤 Junichi Nishizawa
• 👤 Hitoshi Abe
• 👤 Soubei Suzuki

Bibliographic Details