ELECTROLY DELETE MEMORY POINT AND REPROGRAMMABLE, HAVING A FLOATING GRID ABOVE A CONTROL GRID

Abstract

Abstract Translated from French L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE ELECTRIQUEMENT EFFACABLE ET REPROGRAMMBLE EEPROM A TRANSISTOR A GRILLE FLOTTANTE. DANS CETTE MEMOIRE, LA GRILLE FLOTTANTE 48 S'ETEND AU-DESSUS DE LA GRILLE DE COMMANDE 42, SAUF SUR UNE PARTIE 40 DE LA REGION DE CANAL. DANS CETTE PARTIE, LA GRILLE FLOTTANTE RECOUVRE DIRECTEMENT LE CANAL. UNE ZONE D'INJECTION 58 DE TYPEN (FAIBLE DOPAGE) EST SEPAREE DE LA GRILLE FLOTTANTE, EN DEHORS DU TRANSISTOR PROPREMENT DIT, PAR UNE COUCHE ISOLANTE TRES MINCE56. THE INVENTION RELATES TO AN ELECTRICALLY ERASABLE AND REPROGRAMMABLE EEPROM WITH A FLOATING GRID TRANSISTOR. IN THIS MEMORY, FLOATING GRID 48 EXTENDS ABOVE CONTROL GRID 42, EXCEPT OVER PART 40 OF THE CHANNEL REGION. IN THIS PART, THE FLOATING GRID DIRECTLY COVERS THE CHANNEL. A TYPEN INJECTION ZONE 58 (LOW DOPING) IS SEPARATED FROM THE FLOATING GRID, OUTSIDE THE TRANSISTOR PROPERLY, BY A VERY THIN INSULATION LAYER56.

Inventors

• 👤 Bernard Guillaumot
• 👤 Michel Laurens

Bibliographic Details