Semiconductors, such as bipolar transistors - with amorphous layers locally crystallised by e.g. laser to reduce number of mfg. operations

Abstract

Abstract Translated from French Procédé de réalisation de dispositifs semi-conducteurs présentant une jonction P-N. Ce procédé se caractérise en ce que, sur un substrat, on réalise une première couche de semi-conducteur amorphe uniformément dopée avec un premier type d'impuretés, en ce qu'on soumet la ou les régions de ladite couche à activer à un faisceau localisé ayant une énergie suffisante pour transformer en polycristal la ou lesdites régions soumises audit faisceau par cristallisation, en ce qu'on réalise sur ladite première couche une deuxième couche de semi-conducteur amorphe dopée avec un deuxième type d'impuretés et en ce qu'on soumet la ou lesdites régions à activer de la deuxième couche à un faisceau localisé ayant une énergie suffisante pour transformer en polycristal la ou lesdites régions soumises audit faisceau par cristallisation. Application à la réalisation de transistors bipolaires. Method for producing semiconductor devices having a P-N junction. This method is characterized in that, on a substrate, a first layer of amorphous semiconductor uniformly doped with a first type of impurity is produced, in that the region or regions of said layer to be activated are subjected to a beam localized having sufficient energy to transform said region or regions subjected to said beam by crystallization into a polycrystal, in that a second layer of amorphous semiconductor doped with a second type of impurities is produced on said first layer and in that the said region or regions of the second layer to be activated are subjected to a localized beam having sufficient energy to transform said region or regions subjected to said beam by crystallization into polycrystal. Application to the production of bipolar transistors.

Inventors

No inventors recorded.

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