Magnetic memory

Abstract

Abstract Translated from German Bezeichnung der Erfindung: Magnetischer Speicher vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) und Verfahren zum Auslesen desselben. Designation of the invention: Magnetic memory of the optional Access type (MRAM) and method for reading the same. Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Speicher vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) mit einem Speicherzellenfeld (11), bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen (1), die an Kreuzungspunkten von Wort- (3) und Senseleitungen (4) matrixförmig angeordnet sind, und deren logische Dateninhalte durch einen magnetischen Zustand definiert sind, mit einer den Wortleitungen (3) zugeordneten Adressierungsschaltung, vermittels welcher die Wortleitung (3) einer oder mehrerer ausgewählter Speicherzellen (1), deren Dateninhalt ausgelesen werden soll, mit einer Lesespannung (V) beaufschlagt wird, und mit einer den Senseleitungen (4) zugeordneten Auswerteschaltung, vermittels welcher ein dem Dateninhalt der ausgewählten Speicherzelle bzw. Speicherzellen entsprechendes Signal erfasst bzw. ausgewertet wird, wobei die Auswerteschaltung eine Vergleichsschaltung (16) besitzt, vermittels welcher ein von einem Referenzelement geliefertes Referenzsignal (Vr) mit dem Sensesignal (Vs) der auszulesenden Speicherzelle bzw. Speicherzellen verglichen wird. The invention relates to a magnetic memory of the random access type (MRAM) with a memory cell array (11), consisting of a multiplicity of memory cells (1), which are arranged in matrix form at intersections of word (3) and sense lines (4), and whose logic data content is defined by a magnetic state, with an addressing circuit assigned to the word lines (3), by means of which a reading voltage (V) is applied to the word line (3) of one or more selected memory cells (1), the data content of which is to be read out , and with an evaluation circuit assigned to the sensor lines (4), by means of which a signal corresponding to the data content of the selected memory cell or memory cells is detected or evaluated, the evaluation circuit having a comparison circuit (16), by means of which a reference signal ( Vr) with the sense signal (Vs) to be output Esenden memory cell or memory cells is compared.

Inventors

• 👤 Hugo Van Den Dr. Berg

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