Process for deposition of a dielectric Ta2O5 layer

Abstract

Abstract Translated from French Le procédé comprend les étapes de : a) prétraitement d'une surface du substrat au moyen d'un plasma gazeux froid à basse ou moyenne pression pour nettoyer ladite surface; b) croissance à partir de ladite surface nettoyée du substrat d'une couche barrière de nitrure au moyen d'un plasma gazeux froid d'un mélange N 2 /H 2 à basse ou moyenne pression; et c) le dépôt sur la couche barrière de nitrure d'une couche diélectrique de Ta 2 O 5 par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). The process includes the steps of: a) pretreatment of a surface of the substrate by means of a cold gaseous plasma at low or medium pressure to clean said surface; b) growth, from said cleaned surface of the substrate, of a nitride barrier layer by means of a cold gaseous plasma of an N 2 / H 2 mixture at low or medium pressure; and c) the deposition on the nitride barrier layer of a dielectric layer of Ta 2 O 5 by chemical vapor deposition (CVD) or chemical vapor deposition assisted by plasma (PECVD). Application : à la fabrication des transistors, mémoires non volatiles, mémoires DRAM et capacités de couplage ou de filtrage des circuits intégrés. Application : to the manufacture of transistors, non-volatile memories, DRAM memories and coupling or filtering capacities of integrated circuits.

Inventors

• 👤 Marc Berenguer
• 👤 Roderick Devine

Bibliographic Details