Process of making a thin semiconductor film comprising electronic devices

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un procédé d'obtention d'un film mince à partir d'un substrat en matériau semiconducteur, le film mince comprenant au moins un élément (3) en un matériau différent dudit matériau semiconducteur, réalisé sur une face du substrat et conférant au film mince une structure hétérogène. Il comporte les étapes suivantes : implantation par bombardement de la face (2) du substrat au moyen d'ions pour créer dans le volume du substrat des microbulles gazeuses (21 à 24), l'implantation étant réalisée en tenant compte de l'élément réalisé de manière à obtenir une zone continue de microbulles gazeuses (21, 24) délimitant une région de faible épaisseur, du côté de ladite face (2) du substrat et contenant ledit élément (3), et une région d'épaisseur sensiblement plus importante formée du reste du substrat, ensuite, traitement thermique du substrat à une température suffisante pour créer, par effet de réarrangement cristallin dans le substrat et de pression des microbulles, une séparation des deux régions situées de part et d'autre de la zone de microbulles gazeuses (21, 24), la région de faible épaisseur constituant le film mince. <IMAGE> The invention relates to a method for obtaining a thin film from a substrate made of semiconductor material, the thin film comprising at least one element (3) made of a material different from said semiconductor material, produced on one face of the substrate and giving the thin film a heterogeneous structure. It comprises the following stages: implantation by bombardment of the surface (2) of the substrate by means of ions to create in the volume of the substrate gaseous microbubbles (21 to 24), the implantation being carried out taking account of the element produced so as to obtain a continuous zone of gaseous microbubbles (21, 24) delimiting a region of small thickness, on the side of said face (2) of the substrate and containing said element (3), and a region of substantially greater thickness formed from the rest of the substrate, then heat treatment of the substrate at a temperature sufficient to create, by effect of crystalline rearrangement in the substrate and pressure of the microbubbles, a separation of the two regions located on either side of the microbubble zone gaseous (21, 24), the thin region constituting the thin film. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Bernard Aspar
• 👤 Béatrice Biasse
• 👤 Michel Bruel

Bibliographic Details