Vertical power field effect transistor

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem vertikalen Feldeffekt-Transistor hoher Leistung mit einem auf einem Substrat angebrachten Drainkontakt, einer Driftzone, einem Gate- und einem Sourcekontakt, wobei die Elektrodenanordnung des Feldeffekt-Transistors mit einem vergrabenen Gate überwiegend vertikal ausgeführt ist, ist vorgesehen, daß die Kanalzone (5) im wesentlichen lateral entlang der vergrabenen Gatezone (7) angeordnet ist und über einen Durchlaß (14) darin mit der Driftzone (4) verbunden ist. In the case of a vertical high-power field-effect transistor with a drain contact, a drift zone, a gate and a source contact mounted on a substrate, the electrode arrangement of the field-effect transistor with a buried gate being predominantly vertical, it is provided that the channel zone (5 ) is arranged essentially laterally along the buried gate zone (7) and is connected to the drift zone (4) via a passage (14) therein.

Inventors

• 👤 Werner Dr. Loose
• 👤 Jacek Dr. Korec
• 👤 Ekkehard Dipl.-Phys. Niemann
• 👤 Heinrich Dr. Schlangenotto
• 👤 Raban Dipl.-Phys. Held

Bibliographic Details