MOS-transistor with high threshold voltage

Abstract

Abstract Translated from French La présente invention concerne un transistor MOS à tension de seuil élevée comprenant, dans un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de conductivité, des régions superficielles de drain et de source (31, 32) du deuxième type de conductivité à haut niveau de dopage séparées par une zone d'oxyde épais (33) sous laquelle est formée, dans le substrat, une région surdopée (37) du premier type de conductivité. Chacune des régions de drain et de source est insérée dans un caisson (38) du deuxième type de conductivité à faible niveau de dopage formé dans le substrat. Ce transistor permet de réaliser une diode de protection. De plus, la partie supérieure de chacun desdits caissons (38) comprend, sous ladite zone d'oxyde épais (33), entre chacune desdites régions de drain et de source (31,32) et la région surdopée (37), une région (39) dudit deuxième type de conductivité à niveau de dopage moyen. The present invention relates to a high threshold voltage MOS transistor comprising, in a semiconductor substrate (1) of a first type of conductivity, surface drain and source regions (31, 32) of the second type of high level conductivity. doping separated by a thick oxide zone (33) under which is formed, in the substrate, an overdoped region (37) of the first type of conductivity. Each of the drain and source regions is inserted into a box (38) of the second type of conductivity with low doping level formed in the substrate. This transistor makes it possible to produce a protection diode. In addition, the upper part of each of said boxes (38) comprises, under said thick oxide zone (33), between each of said drain and source regions (31,32) and the overdoped region (37), a region (39) of said second type of conductivity at medium doping level. De cette façon, on ne trouve plus aucune transition entre zones de types de conductivité opposés à très fort gradient de dopage. In this way, there is no longer any transition between zones of conductivity types opposite to very high doping gradient.

Inventors

• 👤 Eric Compagne

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