Method of making a hole in a semiconductor layer structure and its use in manufacturing contact holes

Abstract

Abstract Translated from German Zur Herstellung einer Öffnung in einem Halbleiterschichtaufbau wird auf einer Struktur (1, 2, 3, 4, 5) an einem für die Öffnung vorgesehenen Ort ein Platzhalter (61) aus einem ersten Material erzeugt, das selektiv zur darunterliegenden Struktur (1, 2, 3, 4, 5) und zum Material, das der fertigen Öffnung benachbart ist, ätzbar ist. Auf der Struktur (1, 2, 3, 4, 5) mit dem Platzhalter (61) wird ganzflächig eine Schicht (8) aus einem zweiten Material erzeugt, zu dem das erste Material selektiv ätzbar ist. Die Öffnung wird dadurch erzeugt, daß oberhalb des Platzhalters (61) die Schicht (8) aus dem zweiten Material mindestens teilweise entfernt wird und der Platzhalter (61) durch selektives Ätzen entfernt wird. In order to produce an opening in a semiconductor layer structure, a placeholder (61) made of a first material is generated on a structure (1, 2, 3, 4, 5) at a location provided for the opening, said placeholder being selectively related to the structure (1, 2, 3, 4, 5) and to the material that is adjacent to the finished opening, can be etched. On the structure (1, 2, 3, 4, 5) with the placeholder (61), a layer (8) of a second material is produced over the entire surface, for which the first material can be selectively etched. The opening is created in that the layer (8) made of the second material is at least partially removed above the placeholder (61) and the placeholder (61) is removed by selective etching.

Inventors

• 👤 Wolfgang Dr. Rösner

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