One-transistor-storage cell device and method for making the same

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft eine Ein-Transistor-Speicherzellenanordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung, insbesondere für höchstintegrierte dynamische Halbleiterspeicher. The invention relates to a one-transistor memory cell arrangement and a method for its production, in particular for highly integrated dynamic semiconductor memories. Die erfindungsgemäße Speicherzellenanordnung ist im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelektrode aus senkrecht zur Substratoberfläche, auf einer gemeinsamen leitenden Bodenplatte angeordneten leitenden Lamellen besteht, daß ein Speicherdielektrikum die Speicherelektrode mit Ausnahme der Bodenplattenunterseite bedeckt, daß eine Zellplatte die Speicherelektrode verzahnt umschließt, wobei die Abstände zwischen den benachbarten Lamellen vollständig ausgefüllt sind und die an die äußerste Lamelle grenzenden mit Speicherdielektrikum bedeckten Bereiche der Bodenplatte und der Speicherzelle ebenfalls mit der Zellplatte bedeckt sind und daß an entwurfsbedingt notwendigen Kontaktstellen in der Zellplatte Durchbrüche angeordnet sind. The storage cell arrangement according to the invention is essentially characterized in that the storage electrode consists of conductive lamellae arranged perpendicular to the substrate surface, on a common conductive base plate, that a storage dielectric covers the storage electrode with the exception of the underside of the base plate, that a cell plate surrounds the storage electrode in a toothed manner, the distances between the adjacent lamellae are completely filled and the areas of the base plate and the memory cell which are adjacent to the outermost lamella and are covered with storage dielectric are also covered with the cell plate and that openings are arranged in the cell plate at contact points which are necessary for the design.

Inventors

• 👤 Dietmar Dr.Ing. Temmler

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