Device for plasma processing semi-conductor wafers and method for utilizing such a device

Abstract

Abstract Translated from German Es ist eine Reaktionskammer (11) vorgesehen mit einem Gaseinlaß (12), einem Pumpstutzen (13) und einer über einen Koppelkondensator (17) mit einer Hochfrequenz (HF)-Wechselspannungsquelle (18) zur Erzeugung eines Plasmas (111) verbundenen Elektrode (14), auf der im Betrieb die Halbleiterscheibe (15) liegt. Es sind Mittel vorgesehen, mit denen beim Abschalten der HF-Wechselspannungsquelle (18) ein statisches elektrisches Feld erzeugt wird, in dem negativ geladene Teilchen von dem Ort der Halbleiterscheibe (15) weggelenkt werden. Das statische elektrische Feld wird insbesondere durch eine Hilfselektrode (112) erzeugt, die seitlich oberhalb der Elektrode (14) angeordnet ist. Die Anordnung und das Betriebsverfahren dafür ist anwendbar in der Herstellung integrierter Schaltungen in der Halbleitertechnologie. <IMAGE> A reaction chamber (11) is provided with a gas inlet (12), a pump nozzle (13) and an electrode (14) connected to a radio frequency (HF) AC voltage source (18) via a coupling capacitor (17) to generate a plasma (111) ) on which the semiconductor wafer (15) lies during operation. Means are provided with which a static electric field is generated when the HF alternating voltage source (18) is switched off, in which negatively charged particles are deflected away from the location of the semiconductor wafer (15). The static electric field is generated in particular by an auxiliary electrode (112) which is arranged laterally above the electrode (14). The arrangement and operating method for this can be used in the production of integrated circuits in semiconductor technology. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Holger Dr. Hübner

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