Dry development resist system

Abstract

Abstract Translated from German Es wird ein fein strukturierbares Resistsystem für ein Trocken­entwicklungsverfahren vorgeschlagen, bei dem in einer licht­empfindlichen Schicht durch abbildende Belichtung ein latentes Bild erzeugt und durch Behandlung mit zum Beispiel einer Or­ganosiliziumverbindung verstärkt wird, wobei gleichzeitig die Ätzresistenz gegenüber einem Sauerstoffplasma erhöht wird. Die lichtempfindliche Schicht weist vorzugsweise Anhydrid- oder Epoxidgruppen auf, die zu einer Reaktion mit den funktionellen Gruppen der Organosiliziumverbindungen geeignet sind. Die si­lylierende Behandlung kann mit einer Lösung oder Emulsion in einfachen Apparaturen oder in der Gasphase durchgeführt wer­den. A finely structured resist system for a dry development process is proposed, in which a latent image is formed in a light-sensitive layer by imaging exposure and is enhanced by treatment with, for example, an organosilicon compound, at the same time increasing the etching resistance to an oxygen plasma. The light-sensitive layer preferably has anhydride or epoxy groups which are suitable for reaction with the functional groups of the organosilicon compounds. The silylating treatment can be carried out with a solution or emulsion in simple equipment or in the gas phase.

Inventors

• 👤 Recai Dr.-Ing. Sezi
• 👤 Rainer Dr. Rer. Nat. Leuschner
• 👤 Michael Dr. Rer. Nat. Sebald
• 👤 Siegfried Dr. Rer. Nat. Birkle
• 👤 Hellmut Dr. Ahne

Bibliographic Details