Process to dimensionally stable transfer of structures with a two layer resist

Abstract

Abstract Translated from German Es wird ein Verfahren zur lithographischen Strukturübertragung mit einem Zweilagenresistsystem vorgeschlagen, bei dem der Bottomresist in den zwischen einer Topresiststruktur frei ge­legten Bereichen durch chemische Behandlung mit einem in flüssiger Phase vorliegenden Agens gegenüber einem Trockenätzverfahren ätzresistent gemacht wird. Vorzugsweise durch Sylilierung wird so in den freigelegten Bereichen des Bottomresists eine Ätzmaske für den anschließenden Trockenätzprozeß erzeugt, in dem ein negatives Bild der Topresiststruktur entsteht. Über verschiedene Parameter der chemischen Behandlung wird das Verfahren so gesteuert, daß ein exakter 1:1-Strukturübertragung von der Maske auf den Wafer erzeugt wird. A method for lithographic pattern transfer with a two-layer resist system is proposed, in which the bottom resist in the areas exposed between a top resist structure is made etch-resistant to a dry etching process by chemical treatment with an agent in the liquid phase. An etching mask for the subsequent dry etching process, in which a negative image of the top resist structure is formed, is thus preferably produced in the exposed areas of the bottom resist by syliding. The process is controlled via various parameters of the chemical treatment in such a way that an exact 1: 1 structure transfer is produced from the mask to the wafer.

Inventors

• 👤 Hellmut Dr. Ahne
• 👤 Rainer Dr. Rer. Nat. Leuschner
• 👤 Recai Dr.-Ing. Sezi
• 👤 Michael Dr. Rer. Nat. Sebald
• 👤 Siegfried Dr. Rer. Nat. Birkle

Bibliographic Details