Process and apparatus for the thermal treatment of semiconducting materials

Abstract

Abstract Translated from German Mit der Erfindung wird ein Verfahren und eine Vor­richtung vorgeschlagen, die zur thermischen Behandlung von Halbleitermaterialien dienen, wobei die Strömung der Prozessgase in einem vakuumdichten, isothermalen, vertikal angeordneten Prozessraum gesteuert wird indem diese durch seitlich in der Prozessrohrwand vorgese­hene Lochreihen in den Prozessraum einströmen und die zu behandelnden Halbleiterscheiben oder dergl. schräg auf einem während des Verfahrensablaufes rotierenden Drehtisch angeordnet sind, wobei variable Spülgas­mengen die sogen. "schnelle Kassette" ermöglichen und Schichten zwischen 2,0 und 10,0 nM erzielt werden können, Start- und Endtemperatur bis Raumtemperatur möglich sind, auch Einscheibenprozesse gefahren werden können, und sämtliche Prozesse bei nahezu toleranz­freier Reproduzierbarkeit ablaufen. The invention proposes a method and a device which are used for the thermal treatment of semiconductor materials, the flow of the process gases in a vacuum-tight, isothermal, vertically arranged process space being controlled by flowing into the process space through rows of holes provided in the side of the process tube wall and the semiconductor wafers to be treated or the like are arranged obliquely on a rotating table rotating during the course of the method, variable amounts of purge gas being the so-called. Enable "fast cassette" and layers between 2.0 and 10.0 nM can be achieved, start and end temperatures up to room temperature are possible, single-disc processes can also be run, and all processes run with almost tolerance-free reproducibility.

Inventors

• 👤 Heinrich Dr. Söhlbrand

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