Process for manufacturing gate electrodes

Abstract

Abstract Translated from German Das Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Gate-Elektroden insbesondere für Hochfrequenz-Feldeffekttransistoren. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich in leicht reproduzierbarer Weise Gate-Strukturen mit unterschiedlichen Gate-Längen herstellen.Aus eine alternierenden Schichtenfolge aus zumindest zwei Fotolackschichten und zwei Strukturierungsschichten wird eine im Querschnitt pilzförmige Struktur geätzt mit der eine pilzförmige Gate-Elektrode hergestellt wird. The invention relates to a method for producing gate electrodes, in particular for high-frequency field-effect transistors. With the method according to the invention, gate structures with different gate lengths can be produced in an easily reproducible manner. From an alternating layer sequence of at least two photoresist layers and two structuring layers, a mushroom-shaped structure is etched with the cross section, with which a mushroom-shaped gate electrode is produced.

Inventors

• 👤 Arthur Dipl.-Ing. Geyer (Fh)
• 👤 Heinrich Dr. Dämbkes

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