Process for providing small dimension electrical contacts to a semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from French - Procédé du type consistant à obtenir un contact avec une zone active (11) portée par un substrat semiconduc­teur (10) au moyen de plots conducteurs (15a, 14a) localisés dans les ouvertures de contact (13) formées dans une couche isolante (12), et à réaliser ensuite une configuration d'in­terconnexion (20) métallique qui recouvre les plots conduc­teurs (15a, 14a). - Method of the type consisting in obtaining contact with an active area (11) carried by a semiconductor substrate (10) by means of conductive pads (15a, 14a) located in the contact openings (13) formed in an insulating layer (12 ), and then to realize a metallic interconnection configuration (20) which covers the conductive pads (15a, 14a). - On intercale entre les première (14) et seconde (15), couches conductrices qui servent à former les plots con­ducteurs, une couche de séparation (16) faite en un matériau conducteur qui peut être décapé sélectivement par rapport au matériau de la seconde couche conductrice (15). - There is interposed between the first (14) and second (15), conductive layers which serve to form the conductive pads, a separation layer (16) made of a conductive material which can be pickled selectively with respect to the material of the second layer conductive (15). Ainsi, les plots conducteurs (15a, 14a) peuvent être réalisés de sorte que leur niveau supérieur dépasse légè­rement la surface de la couche isolante (12). De préférence la couche de séparation (16) forme également un arrêt de décapage lors de l'élimination de la seconde couche conductrice (15). Thus, the conductive pads (15a, 14a) can be made so that their upper level slightly exceeds the surface of the insulating layer (12). Preferably, the separation layer (16) also forms a pickling stop during the elimination of the second conductive layer (15). - Application aux micro-circuits à haute densité d'intégration. - Application to micro-circuits with high integration density.

Inventors

• 👤 Trung Doan
• 👤 Leendert De Bruin
• 👤 Malcolm Grief
• 👤 Harald Godon

Bibliographic Details