Small drive power thyristor

Abstract

Abstract Translated from German Thyristor mit einer Mehrzahl von Basisgebieten (4a, 4b) und in diese jeweils eingebetteten Emittergebieten (5a, 5b), bei dem jedem Basisgebiet (4a) ein erster Feldeffekttransistor (T1) zugeordnet ist, der bei Zuführung eines Zündspannungsimpulses (32) an seine Gateelektrode (13) einen Zündstromkreis für das in das Basisgebiet (4a) eingefügte Emittergebiet (5a) ein­schaltet, und bei dem in jedes Basisgebiet (4a) ein weiterer Feldeffekttransistor (T3) eingefügt ist, der bei Zuführung eines Löschspannungsimpulses (35) an seine Gateelektrode (23) einen Emitter-Basis-Kurzschluß zur Überbrückung des das ein­gebettete Emittergebiet (5a) begrenzenden pn-Übergangs wirksam schaltet. Thyristor with a plurality of base regions (4a, 4b) and in each case embedded emitter regions (5a, 5b), in which each base region (4a) is assigned a first field effect transistor (T1) which, when an ignition voltage pulse (32) is supplied to its gate electrode (13) switches on an ignition circuit for the emitter region (5a) inserted into the base region (4a), and in which a further field effect transistor (T3) is inserted into each base region (4a), which transistor transistor receives an erasing voltage pulse (35) on its gate electrode ( 23) an emitter-base short circuit for bridging the pn junction which delimits the embedded emitter region (5a).

Inventors

• 👤 Helmut Dr. Dipl.-Phys. Herberg

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