Process of manufacturing a silicon structure on isolator

Abstract

Abstract Translated from French La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de silicium sur isolant à partir d'une plaquette de silicium monocritallin, comprenant les étapes suivantes : former une couche de silicium poreux (3) sur une face de la plaquette (1) ; oxyder anodiquement le silicium poreux d'où il résulte qu'une couche d'oxyde de silicium (4) est formée à l'interface silicium-silicium poreux en conservant une partie supérieure de la couche poreuse non oxydée ; et, recristalliser la couche de silicium poreux restante par traitement thermique au voisinage de la température de fusion du silicium. The present invention relates to a method for manufacturing a silicon on insulator structure from a monocrystalline silicon wafer, comprising the following steps: forming a layer of porous silicon (3) on one face of the wafer (1); anodically oxidizing the porous silicon from which it results that a silicon oxide layer (4) is formed at the silicon-porous silicon interface while preserving an upper part of the non-oxidized porous layer; and recrystallize the remaining porous silicon layer by heat treatment in the vicinity of the melting temperature of the silicon.

Inventors

• 👤 Guillermo Bomchil
• 👤 Aomar Halimaoui
• 👤 Roland Herino

Bibliographic Details