Method of defined arsenic doping in silicon substrates

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer definier­ten Arsendotierung (5) in Halbleitersubstraten (1), vorzugsweise in Seitenwänden und Böden von in die Substrate (1) geätzten Grä­ben (6) mit hohem Aspektverhältnis, wobei als Diffusionsquelle eine in diesen Gräben abgeschiedene Arsenosilikatglasschicht (3) verwendet wird, die nach der Diffusion entfernt wird, wobei die­se Schicht (3) durch thermische Zersetzung aus der Gasphase von Tetraethylorthosilikat Si (OC₂H₅)₄ und Triethylarsenat AsO (OC₂H₅)₃ abgeschieden wird. Durch diesen Prozeß wird ein für höchstintegrierte Halbleiterschaltungen notwendiges steiles und reproduzierbares Dotierprofil mit konstanter maximaler Eindring­tiefe und hoher Arsenkonzentration in der Substratoberfläche erhalten. The invention relates to a method for producing a defined arsenic doping (5) in semiconductor substrates (1), preferably in side walls and bottoms of trenches (6) etched into the substrates (1) with a high aspect ratio, with an arsenosilicate glass layer deposited in these trenches ( 3) is used, which is removed after the diffusion, this layer (3) being deposited by thermal decomposition from the gas phase of tetraethyl orthosilicate Si (OC₂H₅) ₄ and triethyl arsenate AsO (OC₂H₅) ₃. Through this process, a steep and reproducible doping profile with a constant maximum penetration depth and high arsenic concentration in the substrate surface is obtained, which is necessary for highly integrated semiconductor circuits.

Inventors

• 👤 Helmuth Treichel
• 👤 Frank S. Dr. Becker

Bibliographic Details