Process for manufacturing a magnetooptical recording medium

Abstract

Abstract Translated from German Mit dem Verfahren ist ein magnetooptisches Aufzeichnungs­medium herzustellen, wobei auf wenigstens eine Flachseite eines nicht-magnetischen Substrates (3) eine Speicherschicht aus einem magnetischen amorphen Material aufgebracht wird, das aus mindestens zwei Ausgangskomponenten (A, B) in elemen­tarer Form oder in Form von Verbindungen oder Legierungen ge­bildet wird und eine senkrecht bezüglich der Flachseite des Substrates (3) ausgerichtete magnetische Vorzugsachse auf­weist. Die Speicherschicht soll ein hohes Signal-zu-Rausch­verhältnis ermöglichen. Hierzu ist erfindungsgemäß vorge­sehen, daß ein Vorprodukt (2) mit sandwichartigem Aufbau aus jeweils benachbarten Schichten (4, 5) aus den eine schnelle (anomale) Diffusionsreaktion zulassenden Ausgangskomponenten (A, B) erstellt wird, wobei eine jeweilige Schichtdicke (Δ i ) zumindest der schnell-diffundierenden Ausgangskomponente (B) zwischen 1 nm und 100 nm vorgesehen wird, und daß an­schließend zur Bildung eines amorphen Gefüges die Diffusions­reaktion bei einer vorbestimmten Temperatur unterhalb der Kristallisationstemperatur des amorphen Materials durchge­führt wird. The method can be used to produce a magneto-optical recording medium, a storage layer made of a magnetic amorphous material consisting of at least two starting components (A, B) in elemental form or in the form of compounds being applied to at least one flat side of a non-magnetic substrate (3) or alloys is formed and has a magnetic preferred axis oriented perpendicular to the flat side of the substrate (3). The storage layer should enable a high signal-to-noise ratio. For this purpose, it is provided according to the invention that a preliminary product (2) with a sandwich-like structure consisting of adjacent layers (4, 5) is created from the starting components (A, B) which allow a rapid (anomalous) diffusion reaction, with a respective layer thickness (Δ i ) at least the rapidly diffusing starting component (B) is provided between 1 nm and 100 nm, and that the diffusion reaction is then carried out at a predetermined temperature below the crystallization temperature of the amorphous material to form an amorphous structure.

Inventors

• 👤 Dieter Dr. Weller
• 👤 Ludwig Dr. Schultz

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