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EP0262479A1 Expired / Lapsed EP ⏱️ 0.0 years remaining

Switching device for broad-band signals

Assignee: Siemens AG
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Filing: 1987-09-09
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Granted: —
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Expires: 2007-09-09
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Abstract

Abstract Translated from German In einer Breitbandsignal-Koppeleinrichtung mit einer Koppelpunktmatrix in FET-Technik, deren Koppelelemente (Kpij) jeweils mit einem an seiner Steuerelektrode mit einem Durchschalte- bzw. Sperrsignal beaufschlagten, mit einer Hauptelektrode an die zugehörige Matrixausgangsleitung (zi) angeschlossenen Schalter-Transistor (Tnk) gebildet sind, weisen die Koppelelemente jeweils einen mit dem Schalter-Transistor (Tnk) eine Serienschaltung bildenden Vorschalt-Transistor (Tne) auf, der mit seiner Steuerelektrode an die zugehörige Matrixeingangsleitung (sj) angeschlossen ist und dessen der Serienschaltung abgewandte Hauptelektrode über einen Abtast-Transistor (Tnz) mit dem einen Anschluß (Masse) der Betriebsspannungsquelle (U SS ) verbunden ist, mit deren anderen Anschluß die jeweilige Matrixausgangsleitung (zi) über einen Vorlade-Transistor (Tpi) verbunden ist. Vorlade-Transistor (Tpi) und Abtast-Transistor (Tnz) sind gegensinnig zueinander jeweils an ihrer Steuerelektrode mit einem eine Bit-Durchschaltezeitspanne in eine Vorladephase und die eigentliche Durchschaltephase unterteilenden Koppelfeld-Durchschalte-Takt beaufschlagt, so daß in jeder Vorphase bei gesperrtem Abtast-Transistor (Tnz) die Matrixausgangsleitung über den Vorlade-Transistor (Tpi) zumindest angenähert auf das an dem genannten anderen Anschluss der Betriebsspannungsquelle herrschende Potential geladen wird. In a broadband signal coupling device with a crosspoint matrix in FET technology, the coupling elements (Kpij) of which a switching transistor (Tnk) connected to a control electrode with a switch-through or blocking signal and a main electrode connected to the associated matrix output line (zi) are formed, the coupling elements each have a ballast transistor (Tne) forming a series circuit with the switch transistor (Tnk), which is connected with its control electrode to the associated matrix input line (sj) and whose main electrode is turned away from the series circuit via a scanning Transistor (Tnz) is connected to one terminal (ground) of the operating voltage source (U SS ), the other terminal of which connects the respective matrix output line (zi) via a precharge transistor (Tpi). The precharging transistor (Tpi) and the scanning transistor (Tnz) are in opposite directions to each other at their control electrode with a bit switching period in a precharging phase and the actual switching phase subdivision switching cycle clock, so that in each pre-phase with locked scanning Transistor (Tnz) the matrix output line is at least approximately charged via the precharge transistor (Tpi) to the potential prevailing at said other connection of the operating voltage source.

Inventors

  • 👤 Rüdiger Dr. Hofmann

Bibliographic Details

Application Number —
Jurisdiction EP
Data Source google_patents
Last Synchronized 2026-10-31 23:31
CPC Classifications
H; H04; H04Q; H04Q3/00; H04Q3/42; H04Q3/52; H04Q3/521; H03; H03K; H03K17/00; H03K17/51; H03K17/56; H03K17/687; H03K17/693

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References Cited (Backward Citations)

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