Method of limiting chippage during the sawing of a semiconductor disc

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem Verfahren zum Begrenzen von Ausbrüchen beim Sägen einer Halbleiterscheibe in Einzelteile, die zumindest bereichsweise eine dielektrische Schicht aufweisen, soll die Sägespurbreite reduziert werden, ohne die Qualität bzw. die Ausbeute der aus einer Halbleiterscheibe durch Sägen erhaltenen Einzelteile zu mindern. An den Berandungen von späteren Einzelteilen auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe wird ein Rahmen (1) aus der dielektrischen Schicht so aufgebracht, daß diese Rahmen (1) auf die Halbleiteroberfläche eine Zugspannung ausüben, wodurch im Sägebereich (7) an der Oberfläche der Halbleiterscheibe ein symmetrisches Zugspannungsfeld entsteht zum Begrenzen der Ausbrüche (9) des Halbleitermaterials. In a method for limiting breakouts when sawing a semiconductor wafer into individual parts which have a dielectric layer at least in regions, the sawing track width is to be reduced without reducing the quality or the yield of the individual parts obtained from a semiconductor wafer by sawing. A frame (1) made of the dielectric layer is applied to the edges of later individual parts on the surface of the semiconductor wafer in such a way that these frames (1) exert a tensile stress on the semiconductor surface, as a result of which a symmetrical pattern in the sawing area (7) on the surface of the semiconductor wafer Tension field arises to limit the breakouts (9) of the semiconductor material.

Inventors

• 👤 Manfred Dipl.-Phys. Arlt
• 👤 Joachim Dipl.-Phys. Dathe

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