Method of producing low-ohmic, transparent indium-tin oxide layers, especially for imagers

Abstract

Abstract Translated from German Die durch Aufdampfen oder Aufstäuben auf amorphe, wasser­stoffhaltige Siliziumschichten aufgebrachten Indium-Zinn­oxid-Schichten werden einem zweistufigen Temperprozeß bei maximal 200°C unterworfen, wobei in der ersten Stufe zur Erreichung der Transparenz in Sauerstoffatmosphäre und in der zweiten Stufe für die Leitfähigkeit in einer plasma­aktivierten Formiergasatmosphäre getempert wird. Dadurch wird erreicht, daß bei gleichbleibender Transparenz (95 %) die Leitfähigkeit um den Faktor 7 verbessert wird. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von transparenten Elektroden für Bildsensorelemente in der Bürokommunikation. The indium-tin oxide layers applied by vapor deposition or dusting on amorphous, hydrogen-containing silicon layers are subjected to a two-stage annealing process at a maximum of 200 ° C., the first stage for achieving transparency in an oxygen atmosphere and the second stage for conductivity in a plasma-activated forming gas atmosphere is annealed. This ensures that the conductivity is improved by a factor of 7 while maintaining transparency (95%). The method is used in the production of transparent electrodes for image sensor elements in office communication.

Inventors

• 👤 Robert Primig
• 👤 Werner Müller
• 👤 Helmut Doneyer

Bibliographic Details