Hyperfrequency circuit with a low parasitic capacitance

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un circuit hyperfréquence, réalisé sous forme hybride ou intégrée, dont les capacités parasites sont fortement diminuées. Un circuit hyperfréquence comporte, outre les composants (2, 3), au moins une métallisation (4, 5, 8) de report de composants et au moins une ligne microbande formée par une piste métallique (6), sur une première face d'un substrat diélectrique (1), et par une métallisation de plan de masse (9), sur une deuxième face du substrat. Le circuit hyperfréquence est fixé sur l'embase (13) d'un boitier. En vue de diminuer les capacités parasites formées entre métallisations (8, 9), l'invention prévoit de démétalliser localement (15) la deuxième face métallisée (9) du substrat, à l'aplomb de la métallisation de report (8), et d'introduire une lame d'air (16) entre le substrat démétallisé (15) et l'embase (13) du boitier. Application aux circuits de matériels hyperfréquences. The invention relates to a microwave circuit, produced in hybrid or integrated form, whose parasitic capacities are greatly reduced. A microwave circuit comprises, in addition to the components (2, 3), at least one metallization (4, 5, 8) for transferring components and at least one microstrip line formed by a metal track (6), on a first face of a dielectric substrate (1), and by a ground plane metallization (9), on a second face of the substrate. The microwave circuit is fixed to the base (13) of a box. In order to reduce the stray capacitances formed between metallizations (8, 9), the invention provides for local demetallization (15) of the second metallized face (9) of the substrate, directly above the transfer metallization (8), and introduce an air gap (16) between the demetallized substrate (15) and the base (13) of the housing. Application to microwave equipment circuits.

Inventors

• 👤 Alain Bert
• 👤 Serge Malbe

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