CMOS input circuit

Abstract

Abstract Translated from German Ein zwischen dem C-MOS-Schaltungseingang (e) und einer Betriebspotentialquelle (UDD) liegender pull-up- bzw. pull-down-Widerstand zur Festlegung des Eingangspotentials des unbeschalteten Schaltungseingangs ist durch eine vom Schaltungseingang her gesteuerte, zwischen der Schwellspannung der MOS-Transistoren des einen Kanaltyps und der Schwellspannung der MOS-Transistoren des anderen Kanaltyps leitende MOS-Transistorschaltung gebildet; diese MOS-Transistorschaltung weist zwei in Serie geschaltete Transistoren auf (Tp,Tn), die von zwei eingangsseitig an den Schaltungseingang angeschlossenen, entgegengesetzt stark unsymmetrischen C-MOS-Invertern (Tp',Tn'; Tp",Tn") gesteuert werden. A pull-up or pull-down resistor between the C-MOS circuit input (e) and an operating potential source (UDD) for determining the input potential of the unconnected circuit input is controlled by a circuit input controlled between the threshold voltage of the MOS Formed transistors of one channel type and the threshold voltage of the MOS transistors of the other channel type conducting MOS transistor circuit; This MOS transistor circuit has two transistors connected in series (Tp, Tn), which are controlled by two C-MOS inverters (Tp ', Tn'; Tp ", Tn") which are connected on the input side to the circuit input and are oppositely asymmetrical.

Inventors

• 👤 Frithjof Dr. Sichart Von

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