Complementary integrated circuit with a substrate bias voltage generator and a Schottky diode

Abstract

Abstract Translated from German Integrierte Schaltung in komplementärer Schaltungstechnik mit einem Substratvorspannungs-Generator (16), der das p(n)-Substrat (1), in das n(p)-Wannen (2) eingefügt sind, auf eine negative (positive) Substratvorspannung legt. Die Sourcegebiete (3) der im Substrat angeordneten n(p)-Kanal-FETs liegen auf Massepotential. Zur Vermeidung von "latch-up"-Effekten ist der Ausgang (17) des Substratvorspannungs-Generators (16) über eine Schottky-Diode (D) mit einem auf Massepotential liegenden Schaltungspunkt (8) verbunden. Integrated circuit in complementary circuit technology with a substrate bias generator (16), which puts the p (n) substrate (1), into which n (p) wells (2) are inserted, on a negative (positive) substrate bias. The source regions (3) of the n (p) -channel FETs arranged in the substrate are at ground potential. To avoid latch-up effects, the output (17) of the substrate bias generator (16) is connected to a circuit point (8) which is at ground potential via a Schottky diode (D).

Inventors

• 👤 Josef Dr.-Ing. Winnerl
• 👤 Dezsö Dipl.-Ing. Takacs

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